[发明专利]一种掺镱光纤及其制备方法

摘要

本发明公开了一种掺镱光纤及其制备方法，具备至少含有镱Yb与铝Al的芯层和围绕该芯层的玻璃基质包层，以及围绕该玻璃基质包层的低折射率涂覆层，所述玻璃基质包层包括内包层和外包层，其中所述内包层折射率低于芯层而高于外包层。内包层采用Ge、P、Al、F作为掺杂剂，芯层掺杂F、P作为掺杂剂，采用MCVD法制备预制棒，控制拉丝温度使光纤处于较低张力下拉丝得到所需的光纤。通过提高内包层的折射率，相对地通过降低芯层与内包层折射率的差，可以维持纤芯中较高的Al、Yb掺杂浓度，从而在维持较高的光纤包层吸收系数的情况下，降低芯层NA，实现单模输出即光纤质量因子接近于1。本发明可以制造高浓度掺镱光纤，实现较高的包层吸收系数。

主权项

1.一种掺镱光纤，其特征在于，具备至少含有镱Yb与铝Al的芯层和围绕该芯层的玻璃基质包层，以及围绕该玻璃基质包层的低折射率涂覆层，所述玻璃基质包层包括内包层和外包层，其中所述内包层折射率低于芯层而高于外包层，所述内包层与外包层折射率的差值为0～0.1％，所述芯层折射率与内包层折射率的差值为0.06％～0.95％，所述光纤的数值孔径NA范围是0.05至0.2，所述光纤的NA范围是0.065至0.075，所述内包层与芯层的直径之比为1～10；所述芯层除了Yb和Al之外，还掺杂有F和/或P，芯层掺杂Yb元素的摩尔含量为0.01mol％～1.5mol％，掺杂Al元素的摩尔含量为0.1mol％～5mol％，掺杂F元素的摩尔含量为0mol％～2mol％，掺杂P元素的摩尔含量为0mol％～13mol％；所述内包层玻璃基质的掺杂材料至少含有Ge、F、Al、P中的一种或多种，该内包层掺杂Ge元素的摩尔含量为0.01mol％～1.5mol％，掺杂F元素的摩尔含量为0.1mol％～1mol％，掺杂Al元素的摩尔含量为0.1mol％～1mol％，掺杂P元素的摩尔含量为0mol％～2.5mol％。