[发明专利]可降低写操作电压的非易失性存储元件及制造方法

摘要

本发明属于非易失性存储器技术领域，提供了一种可降低写操作电压的非易失性存储元件及制造方法。本发明的非易失性存储元件，包括：倒锥状第一电极；存储介质层，其包括第一部分和第二部分，其中所述第一部分贴附在倒锥状第一电极的外侧面上，所述第二部分与所述倒锥状第一电极的外侧面非平行设置以至于与所述第一部分连接并形成夹角；以及第二电极，其形成在所述存储介质层的第一部分与第二部分之间形成的所述夹角的内侧。本发明的非易失性存储元件通过在第一电极和第二电极之间形成存储介质层的夹角结构，写操作电压得到降低且均匀，制备简单、成本低。

主权项

1.一种非易失性存储元件，包括：倒锥状第一电极；存储介质层，其包括第一部分和第二部分，其中所述第一部分贴附在倒锥状第一电极的外侧面上，所述第二部分与所述倒锥状第一电极的外侧面非平行设置以至于与所述第一部分连接并形成夹角；第二电极，其形成在所述存储介质层的第一部分与第二部分之间形成的所述夹角的内侧；所述存储介质层选自氧化铝（AlOx）,氧化钨（WOx）,氧化铪（HfOx）,氧化钽（TaOx）,氧化钛（TiOx）,氧化硅（SiO2）,氧化锌（ZnOx）,氧化镍（NiOx）, 锗锑碲合金（GeSbyTex）中的一种材料或几种材料的组合；所述非易失性存储元件为电阻随机存取存储，所述存储介质层为阻变存储介质层，其中，所述阻变存储介质层被配置为在所述第一电极和所述二电极之间偏置编程信号时、在对应所述存储介质层的夹角处大致定位形成用于存储编程的导电细丝；所述第一电极选自由Pt,Ag,Cu,TaN,TiN,Al,W或者其中合金中的一种材料形成；所述第二电极选自由Pt,Ag,Cu,TaN,TiN,Al,W或者其中合金中的一种材料形成；所述倒锥状第一电极形成在第一介质层中并且倒锥状第一电极的较大的上端部分外露形成柱台结构，所述第一部分和第二部分通过保形覆盖于该柱台结构上形成，其中第一部分包围所述第一电极的上端部分的外侧面，所述第二部分形成在所述第一介质层的上表面。