[发明专利]倒装芯片及形成倒装芯片的方法有效

专利信息
申请号: 201510319478.5 申请日: 2015-06-11
公开(公告)号: CN106206515B 公开(公告)日: 2019-03-29
发明(设计)人: 方家伟;黄升佑 申请(专利权)人: 联发科技股份有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L21/48
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人: 何青瓦
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明实施例公开了一种倒装芯片及形成倒装芯片的方法。其中倒装芯片包括:非均匀功率域;以及非均匀凸块图,该非均匀凸块图由多个凸块形成并且匹配该非均匀功率域。进一步地,该多个凸块中的第一部分排列成第一图形,该多个凸块中的第二部分排列成第二图形,其中第一图形不同于第二图形,并且第一图形是由三个凸块形成的等边三角形,第二图形是由四个凸块形成的正方形。本发明实施例,具有能够与功率域相符、降低电阻压降和在每个功率域均具有最大凸块数目的优点。
搜索关键词: 倒装 芯片 形成 方法
【主权项】:
1.一种倒装芯片,其特征在于,包括:非均匀功率域;以及非均匀凸块图,所述非均匀凸块图由多个凸块形成并且所述多个凸块基于所述非均匀功率域的功率分布而非均匀放置以匹配所述非均匀功率域。
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