[发明专利]射频横向双扩散金属氧化物半导体及其制造方法有效
| 申请号： | 201510319622.5 | 申请日： | 2015-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN106298536B | 公开（公告）日： | 2019-10-15 |
| 发明（设计）人： | 马万里;闻正锋;赵文魁 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 娄冬梅;黄健 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种射频横向双扩散金属氧化物半导体及其制造方法，其中方法包括：通过对待生成体区、源区、漂移区和漏区的浓衬底的区域进行刻蚀，形成沟槽区域，在沟槽区域生长轻掺杂外延层，对轻掺杂外延层进行离子注入，生成体区、源区、漏区和漂移区，使得位于浓衬底上部的源区可以直接通过浓衬底引向浓衬底的底部，降低了射频横向双扩散金属氧化物半导体的正背面之间的电阻，从而降低了射频横向双扩散金属氧化物半导体的导通电阻，提高了射频横向双扩散金属氧化物半导体的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种射频横向双扩散金属氧化物半导体的制造方法，其特征在于，包括：在浓衬底上沉积硬掩模，形成硬掩模层；采用干法刻蚀法对所述硬掩模层进行刻蚀，去除待生成体区、源区、漂移区和漏区的所述浓衬底上的硬掩模；对待生成体区、源区、漂移区和漏区的所述浓衬底的区域进行刻蚀，形成沟槽区域；在所述沟槽区域生长轻掺杂外延层；采用干法刻蚀法去除所述硬掩模层，在所述轻掺杂外延层上生长栅氧化层；对所述栅氧化层进行处理，形成栅区，通过所述栅区对所述轻掺杂外延层进行离子注入，生成体区、源区、漏区和漂移区；在所述轻掺杂外延层上沉积介电层和金属层，在所述浓衬底底部沉积金属层，形成射频横向双扩散金属氧化物半导体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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