[发明专利]一种石墨烯-氮化硼-氮化镓LED芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 201510322480.8 | 申请日： | 2015-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN104966771A | 公开（公告）日： | 2015-10-07 |
| 发明（设计）人： | 邱彩玉;丁雯;张新娟;徐一梦 | 申请（专利权）人： | 温州生物材料与工程研究所 |
| 主分类号： | H01L33/26 | 分类号： | H01L33/26;H01L33/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 325011 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种石墨烯-氮化硼-氮化镓LED芯片，在衬底上自下而上依次有氮化镓层、氮化硼层和石墨烯层，还包括第一电极和第二电极。本发明的LED芯片中石墨烯层及氮化硼层均具有较低的光吸收系数，这有助于LED芯片获得更高的出光效率；且本发明的LED芯片正向通电以及反向通电均可以发光，并具有不同的发光光谱。此外，相比于传统氮化镓LED芯片的制备工艺，本发明的制备方法工艺简单，大大减少了MOCVD在LED芯片工艺制程中的使用比重，有利于降低芯片制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 氮化 led 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种石墨烯‑氮化硼‑氮化镓LED芯片，其特征在于，在衬底（1）上自下而上依次有氮化镓层（2）、氮化硼层（3）和石墨烯层（4），所述的LED芯片还包括第一电极（5）和第二电极（6），第一电极（5）设置在氮化镓层（2）上，第二电极（6）设置在石墨烯层（4）上。
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