[发明专利]磁记录膜用溅射靶及其制造方法有效
| 申请号： | 201510323322.4 | 申请日： | 2011-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN104975264B | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 高见英生;奈良淳史;荻野真一 | 申请（专利权）人： | 吉坤日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种磁记录膜用溅射靶，其含有SiO |
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| 搜索关键词： | 记录 溅射 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种添加有SiO2的磁记录膜用溅射靶，其为Cr为50摩尔％以下，Pt为50摩尔％以下，SiO2为20摩尔％以下，其余为Co的磁记录膜用溅射靶，其特征在于，在X射线衍射中作为结晶化的SiO2的方英石的峰强度相对于背景强度的比(方英石峰强度/背景强度)为1.40以下。
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