[发明专利]一种无硼或稀土元素的致密碳化硅陶瓷的制备方法有效
| 申请号： | 201510323350.6 | 申请日： | 2015-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN104926309B | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 刘桂玲;苏碧哲;黄政仁;刘学建;陈忠明;杨勇;姚秀敏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/622 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种无硼或稀土元素的致密碳化硅陶瓷的制备方法，包括：1）将铝源、碳源、碳化硅粉体和无水乙醇均匀混合后烘干、研磨过筛后得到混合粉体，并采用混合粉体压制得到陶瓷素坯；2）将陶瓷素坯在真空、650℃～1050℃下加热裂解；3）将热裂解后的陶瓷坯体在氮气气氛、1550℃～1750℃下进行碳热还原反应；4）将碳热还原反应后的陶瓷素坯在惰性气氛、2050℃～2300℃下烧结得到致密碳化硅陶瓷。采用本发明方法制备的碳化硅陶瓷中含有Si、Al、C、O和N元素，均为中子吸收截面小的元素，不含中子吸收截面大的B或稀土元素。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 稀土元素 致密 碳化硅 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种无硼或稀土元素的致密碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，包括：1）将铝源、碳源、碳化硅粉体和无水乙醇均匀混合后烘干、研磨过筛后得到混合粉体，并采用混合粉体压制得到陶瓷素坯；2）将陶瓷素坯在真空、650℃～1050℃下加热裂解；3）将热裂解后的陶瓷坯体在氮气气氛、1550℃～1750℃下进行碳热还原反应；4）将碳热还原反应后的陶瓷素坯在惰性气氛、2050℃～2300℃下烧结得到致密碳化硅陶瓷；所述碳化硅粉体的平均粒径为亚微米级。
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