[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201510323730.X | 申请日： | 2015-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN106206752B | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 森川直树 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L29/06 |
| 代理公司： | 11127 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李辉;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，其能够软化高速二极管的开关波形。该半导体装置具有电流在纵向上流动的PiN型的二极管结构，在施加反向偏压时所形成的耗尽层区域的外侧的漂移层的区域内，改变浓度地配置有多个载流子蓄积层(N+层)。从器件中央侧朝向端部侧配置积蓄层，积蓄层的浓度从器件中心侧至端部侧阶段性地升高。可利用多个载流子蓄积层来控制耗尽层的扩展方向，从而能够软化开关波形。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，/n所述半导体装置具有电流在纵向上流动的PiN型的二极管的结构，在耗尽层的外侧的漂移区域内的沟道截断环下部配置有多个杂质浓度比所述漂移区域高的载流子蓄积层，所述耗尽层是向二极管施加反向偏压而使二极管阻塞时所形成的，所述载流子蓄积层存在于所述耗尽层的外侧，/n从器件中央侧朝向器件端部侧配置所述载流子蓄积层，该载流子蓄积层的杂质浓度从所述器件中央侧朝向所述器件端部侧阶段性地升高。/n
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