[发明专利]一种判定GaAs基太赫兹混频肖特基二极管结面积的方法有效

专利信息
申请号: 201510323758.3 申请日: 2015-06-12
公开(公告)号: CN104898034B 公开(公告)日: 2017-10-13
发明(设计)人: 杨晓艳;韩凌;陈梅;魏刚;纪东峰 申请(专利权)人: 四川久成泰安科技有限公司
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 成都行之专利代理事务所(普通合伙)51220 代理人: 郭受刚
地址: 621000 四川省绵阳市*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种判定GaAs基太赫兹混频肖特基二极管结面积的方法,所述方法包括将被测太赫兹肖特基二极管固定在测试台面,利用直流测试用探针扎在太赫兹肖特基二极管的两个金属焊盘上;使用半导体测试仪测试太赫兹肖特基二极管的电流和电压;基于获得的电流和电压,利用公式(7)计算出肖特基二极管结面积,实现了快速鉴别管芯,对器件无损伤,成本较低的技术效果。
搜索关键词: 一种 判定 gaas 赫兹 混频 肖特基 二极管 面积 方法
【主权项】:
一种判定GaAs基太赫兹混频肖特基二极管结面积的方法,其特征在于,所述方法包括:将被测GaAs基太赫兹混频肖特基二极管固定在测试台面,利用直流测试用探针扎在GaAs基太赫兹混频肖特基二极管的两个金属焊盘上;使用半导体测试仪测试GaAs基太赫兹混频肖特基二极管的电流和电压;基于获得的电流和电压,利用公式(7)计算出GaAs基太赫兹混频肖特基二极管结面积,其中所述公式(7)为:S=exp[q(Vbi-V)ηkT]/98.65---(7)]]>其中,S为肖特基结的面积,单位为平方微米,q为电子电量,Vbi为GaAs基太赫兹混频肖特基二极管内建电势,固定为0.8V,V为半导体参数测试仪测试得到GaAs基太赫兹混频肖特基二极管两端的电压,η为表征肖特基接触质量好坏的理想因子,k为玻尔兹曼常数,T为肖特基结的温度;在测试过程中固定通过GaAs基太赫兹混频肖特基二极管的电流为10微安;所述GaAs基太赫兹混频肖特基二极管为反向并联的形式,两端分别为两个焊盘。
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