[发明专利]一种分栅功率器件的制造方法

摘要

本发明属于半导体功率器件制造技术领域，特别是涉及一种分栅功率器件的制造方法。本发明的一种分栅功率器件的制造方法是在刻蚀形成控制栅后，直接以第一绝缘薄膜为掩膜刻蚀衬底外延层以形成分栅凹槽，在该刻蚀过程中，控制栅会被部分刻蚀，使得控制栅的宽度减小，从而提高了对控制栅电极接触孔的刻蚀精度要求；分栅凹槽形成后直接淀积一层厚的第三绝缘薄膜以覆盖控制栅和分栅凹槽的表面，以减小控制栅电极接触孔对准偏差造成的影响，从而能够降低控制栅电极接触孔的刻蚀精度要求，使得整个工艺过程简单可靠、易于控制，可大大提高分栅功率器件的成品率。本发明特别适用于25V‑200V半导体功率器件的制造。

主权项

一种分栅功率器件的制造方法，包括具体步骤：步骤一：首先在第一种掺杂类型的漏区的上部形成第一种掺杂类型的衬底外延层，然后在所述衬底外延层的上部形成第一绝缘薄膜，之后进行第一道光刻,然后对所述第一绝缘薄膜进行刻蚀，在所述第一绝缘薄膜的内部形成第一绝缘薄膜的开口；步骤二：以所述第一绝缘薄膜为掩膜刻蚀所述衬底外延层，在所述衬底外延层的内部形成控制栅凹槽，该控制栅凹槽的两侧边沿延伸至所述第一绝缘薄膜的开口的两侧的第一绝缘薄膜的下部,形成位于所述第一绝缘薄膜的下部的横向凹陷；其特征是在上述步骤一和步骤二的基础上，还依次包括如下步骤：步骤三：在所述控制栅凹槽的表面形成第二绝缘薄膜，之后淀积第一导电薄膜，该第一导电薄膜至少填满所述控制栅凹槽两侧的位于所述第一绝缘薄膜的下部的横向凹陷；步骤四：首先刻蚀位于所述第一绝缘薄膜上部的所述第一导电薄膜，之后沿着所述第一绝缘薄膜的开口的边沿继续刻蚀所述第一导电薄膜，在所述控制栅凹槽的两侧形成控制栅；步骤五：首先对暴露出的所述控制栅凹槽表面的第二绝缘薄膜进行刻蚀，之后以所述第一绝缘薄膜为掩膜继续刻蚀所述衬底外延层，在所述衬底外延层的内部形成分栅凹槽；步骤六：在所述控制栅以及分栅凹槽的表面形成第三绝缘薄膜；步骤七：淀积第二导电薄膜并回刻，在所述分栅凹槽内部形成分栅，所述分栅的表面略低于所述衬底外延层的表面；步骤八：首先对所述第三绝缘薄膜和第一绝缘薄膜进行刻蚀，然后进行第二种掺杂类型的离子注入,在所述衬底外延层内形成沟道区；步骤九：首先进行第二道光刻，之后进行第一种掺杂类型的离子注入,在所述衬底外延层内形成源区；步骤十：淀积第四绝缘薄膜，之后进行第三道光刻，然后对所述第四绝缘薄膜进行刻蚀以形成接触孔，然后进行第二种掺杂类型的离子注入并淀积金属层形成欧姆接触；步骤十一：进行第四道光刻，之后刻蚀所述金属层以分别形成源电极、控制栅电极和分栅电极，最后进行钝化层的淀积、图形转移和刻蚀，从而形成分栅功率器件。