[发明专利]一种基于半桥控制驱动电路的自锁式光激发栅极驱动系统

摘要

本发明公开了一种基于半桥控制驱动电路的自锁式光激发栅极驱动系统，其由驱动芯片M，与该驱动芯片M相连接的驱动电路，与驱动芯片M相连接的开关功率放大电路，以及与开关功率放大电路相连接的第一自锁光激发电路和第二自锁光激发电路组成；其特征在于，在开关功率放大电路与第二自锁光激发电路之间还串接有半桥控制驱动电路；本发明能根据外部光照条件来自动激发驱动芯片M的相关功能，无需增加额外的启动装置，因此其功耗较低。同时，本发明采用半桥控制驱动电路作为辅助驱动电路，并且采用GR6953集成电路作为处理芯片，使其驱动速度更快，并具有低功耗启动的优点，从而使本发明能耗比传统的驱动系统降低1/2。

主权项

一种基于半桥控制驱动电路的自锁式光激发栅极驱动系统，其由驱动芯片M，与该驱动芯片M相连接的驱动电路，与驱动芯片M相连接的开关功率放大电路，以及与开关功率放大电路相连接的第一自锁光激发电路和第二自锁光激发电路组成；其特征在于，在开关功率放大电路与第二自锁光激发电路之间还串接有半桥控制驱动电路；所述半桥控制驱动电路由处理芯片U1，场效应管MOS1，三极管Q5，N极与三极管Q5的发射极相连接、P极则经电阻R14后与第二自锁光激发电路相连接的二极管D4，正极与二极管D4的P极相连接、负极接地的极性电容C12，与极性电容C12相并联的稳压二极管D3，正极经电阻R17后与处理芯片U1的RT管脚相连接、负极则经电阻R15后与场效应管MOS1的栅极相连接的极性电容C14，串接在场效应管MOS1的栅极和源极之间的电阻R16，正极与处理芯片U1的CT管脚相连接、负极则与场效应管MOS1的漏极相连接的极性电容C13，一端与处理芯片U1的HV管脚相连接、另一端则与三极管Q5的基极相连接的电阻R18，以及P极与处理芯片U1的VS管脚相连接、N极则与开关功率放大电路相连接的二极管D5组成；所述场效应管MOS1的源极则与第二自锁光激发电路相连接，而极性电容C14的负极则与开关功率放大电路相连接；所述处理芯片U1的VCC管脚和其VB管脚分别与二极管D4的P极和N极相连接，其SGND管脚和VS管脚均与极性电容C14的负极相连接，其PGND管脚接地；所述三极管Q5的集电极与极性电容C14的负极相连接。