[发明专利]泡生法制备方形蓝宝石晶体的生长方法有效
申请号: | 201510324712.3 | 申请日: | 2015-06-15 |
公开(公告)号: | CN104911708B | 公开(公告)日: | 2017-10-27 |
发明(设计)人: | 左洪波;杨鑫宏;张学军;李铁 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨奥瑞德光电技术有限公司 |
主分类号: | C30B29/20 | 分类号: | C30B29/20;C30B17/00 |
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地址: | 150001 黑龙江*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | 本发明提供了一种泡生法制备方形蓝宝石晶体的生长方法。该蓝宝石单晶生长工艺主要由引晶、放肩、等径、收尾拉脱和降温与退火阶段五部分构成。装炉时须保证方形坩埚与方形加热体同心,且其侧壁与方形加热体侧面平行,籽晶为端面与侧面都经过精定向的方形籽晶。等径生长阶段,加快降温速度,减慢提拉速度。收尾拉脱阶段,适当升温以实现对晶体收尾部分棱角的烘烤,同时增大提拉速度,使晶体与坩埚自动分离。降温与退火阶段初期和末期,以相对较快的降温速度进行冷却,中间阶段停止降温,并保温一段时间。该生长工艺有利于生长大尺寸高品质的方形蓝宝石单晶,采用该工艺生长方形蓝宝石单晶晶体质量好,可大幅度提高加工效率及方形块料的出材率。 | ||
搜索关键词: | 法制 方形 蓝宝石 晶体 生长 方法 | ||
【主权项】:
一种泡生法制备方形蓝宝石晶体的生长方法,其特征在于该蓝宝石单晶生长工艺主要分为引晶、放肩、等径、收尾拉脱、降温与退火五部分,具体过程为:(1)装炉:将高纯氧化铝粉料、方形预制块或碎晶装入方形坩埚内,保证方形坩埚与方形加热体同心,方形坩埚的侧壁与方形加热体侧面平行,将三面精定向的籽晶装在籽晶夹上;(2)抽真空,升温化料;(3)预热籽晶:将籽晶下落到距离液面一定的位置充分预热籽晶;(4)引晶:采用匀速旋转的方式将引晶形态控制成圆形,且引晶结束后将籽晶转到侧面与坩埚侧壁平行的位置;引晶阶段初期,将籽晶杆旋转速度设为1~10rpm,每层的生长时间控制在3~5min,缩颈阶段,将籽晶杆旋转速度调节为5~20rpm,每层的生长时间控制在6~10min,引晶层数共5~15层;(5)放肩:分两次放肩,一次放肩采用较小的提拉与降温速度,二次放肩增大提拉与降温速度,减小放肩角;放肩阶段初期,晶体生长速度控制在0.1~0.3kg/h,提拉速度0.2~2mm/h,使其缓慢生长;放肩后期,为减小放肩角,将提拉速度设为0.6~6mm/h;(6)等径生长:加快降温速率,减慢提拉速度;等径生长阶段,晶体生长速度控制在0.2~0.6kg/h,提拉速度为0.1~1mm/h;(7)收尾拉脱:当晶体生长完毕,适当升温以实现对晶体收尾部分棱角的烘烤,同时增大提拉速度,使晶体与坩埚自动分离;收尾拉脱阶段,适当升温,使晶体底部处于稍熔化状态,保温3~5h;随后加快提拉,提拉速度设为4~10mm/h,使晶体与坩埚底部分离;(8)降温与退火:最初以相对较快的降温速度进行冷却,中间关键温度段停止降温,保温一段时间,随后再以较快的速度降温;降温与退火阶段的初期和末期以30~60℃/h的降温速度进行冷却,在1800~1400℃温度段,以5~20℃/h的降温速度进行冷却。
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