[发明专利]一种子模块拓扑

摘要

一种子模块拓扑，包括第一电容组(C1)和第二电容组(C2)，以及第一全控型半导体器件(T1)，第二全控型半导体器件(T2)，第三全控型半导体器件(T3)，第四全控型半导体器件(T4)，第五全控型半导体器件(T5)，第六全控型半导体器件(T6)，第七全控型半导体器件(T7)，第八全控型半导体器件(T8)。

主权项

一种子模块拓扑，其特征在于：所述的子模块拓扑包括第一电容组(C1)、第二电容组(C2)、第一全控型半导体器件(T1)、第二全控型半导体器件(T2)、第三全控型半导体器件(T3)、第四全控型半导体器件(T4)、第五全控型半导体器件(T5)、第六全控型半导体器件(T6)、第七全控型半导体器件(T7)，以及第八全控型半导体器件(T8)；所述的第一全控型半导体器件(T1)、第二全控型半导体器件(T2)和第一电容组(C1)组成第一半桥子单元(11)；第一全控型半导体器件(T1)的集电极与第一电容组(C1)的正极连接，该连接点作为第一半桥子单元(11)的第一引出端子(1)；第一全控型半导体器件(T1)的发射极与第二全控型器件(T2)的集电极连接，该连接点作为第一半桥子单元(11)的第二引出端子(2)；第二全控型器件(T2)的发射极与第一电容组(C1)的负极连接，该连接点作为第一半桥子单元(11)的第三引出端子(2)；所述的第四全控型半导体器件(T4)、第五全控型半导体器件(T5)和第二电容组(C2)组成第二半桥子单元(12)；第四全控型半导体器件(T4)的集电极与第二电容组(C2)的正极连接，该连接点作为第二半桥子单元(12)的第一引出端子(4)；第四全控型半导体器件(T4)的发射极与第五全控型半导体器件(T5)的集电极连接，该连接点作为第二半桥子单元(12)的第二引出端子(5)；第五全控型半导体器件(T5)的发射极与第二电容组(C2)的负极连接，该连接点作为第二半桥子单元(12)的第三引出端子(6)；第六全控型半导体器件(T6)的发射极(10)与第二半桥子单元(12)的第三引出端子(6)连接，第六全控型半导体器件(T6)的集电极(9)与第一半桥子单元(11)的第一引出端子(1)连接；第三全控型半导体器件(T3)的发射极与第一半桥子单元(11)的第三引出端子(3)连接；第三全控型半导体器件(T3)的集电极与第二半桥子单元(12)的第一引出端子(4)连接；第一半桥子单元(11)的第二引出端子(2)与第七全控型半导体器件(T7)的发射极连接，第七全控型半导体器件(T7)的集电极作为子模块拓扑的第一引出端子(7)；第二半桥子单元(12)的第二引出端子(5)与第八全控型半导体器件(T8)的集电极连接，第八全控型半导体器件(T8)的发射极作为子模块拓扑的第二引出端子(8)；所述子模块拓扑的第一引出端子(7)与子模块拓扑的第二引出端子(8)的电压差为子模块的输出电压；当需要子模块的输出电压等于第一电容组(C1)正极与负极的电压差和第二电容组(C2)正极与负极电压差之和时，第七全控型半导体器件(T7)、第一全控型半导体器件(T1)、第三全控型半导体器件(T3)、第五全控型半导体器件(T5)、第八全控型半导体器件(T8)导通，其他全控型半导体器件关断；当需要子模块的输出电压等于第一电容组(C1)正极与负极的电压差时，第七全控型半导体器件(T7)、第一全控型半导体器件(T1)、第三全控型半导体器件(T3)、第四全控型半导体器件(T4)、第八全控型半导体器件(T8)导通，其他全控型半导体器件关断；当需要子模块的输出电压等于第二电容组(C2)正极与负极的电压差时，第七全控型半导体器件(T7)、第二全控型半导体器件(T2)、第三全控型半导体器件(T3)、第五全控型半导体器件(T5)、第八全控型半导体器件(T8)导通，其他全控型半导体器件关断；当需要子模块的输出电压等于零时，第七全控型半导体器件(T7)、第二全控型半导体器件(T2)、第三全控型半导体器件(T3)、第四全控型半导体器件(T4)、第八全控型半导体器件(T8)导通，其他全控型半导体器件关断；当需要子模块的输出电压等于第一电容组(C1)负极与正极的电压差时，第七全控型半导体器件(T7)、第二全控型半导体器件(T2)、第六全控型半导体器件(T6)、第五全控型半导体器件(T5)、第八全控型半导体器件(T8)导通，其他全控型半导体器件关断；当需要子模块的输出电压等于第二电容组(C2)负极与正极的电压差时，第七全控型半导体器件(T7)、第一全控型半导体器件(T1)、第六全控型半导体器件(T6)、第四全控型半导体器件(T4)、第八全控型半导体器件(T8)导通，其他全控型半导体器件关断；当需要子模块的输出电压等于第一电容组(C1)负极与正极的电压差与第二电容组(C2)负极与正极的电压差之和时，第七全控型半导体器件(T7)、第二全控型半导体器件(T2)、第六全控型半导体器件(T6)、第四全控型半导体器件(T4)、第八全控型半导体器件(T8)导通，其他全控型半导体器件关断。