[发明专利]基于半桥控制驱动电路的交流信号放大式栅极驱动系统在审
申请号: | 201510325231.4 | 申请日: | 2015-06-13 |
公开(公告)号: | CN104978927A | 公开(公告)日: | 2015-10-14 |
发明(设计)人: | 雷明方 | 申请(专利权)人: | 成都颉盛科技有限公司 |
主分类号: | G09G3/32 | 分类号: | G09G3/32 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610000 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了基于半桥控制驱动电路的交流信号放大式栅极驱动系统,其由驱动芯片M,自锁光激发电路,与该驱动芯片M相连接的驱动电路,以及自锁激发电路相连接的同相交流信号放大电路组成;其特征在于,在同相交流信号放大电路与驱动芯片M之间还串接有半桥控制驱动电路;本发明能根据外部光照条件来自动激发驱动芯片M的相关功能,无需增加额外的启动装置,因此其功耗较低。本发明采用半桥控制驱动电路作为辅助驱动电路,并且采用GR6953集成电路作为处理芯片,使其驱动速度更快,并具有低功耗启动的优点,从而使本发明能耗比传统的驱动系统降低1/2。 | ||
搜索关键词: | 基于 控制 驱动 电路 交流 信号 放大 栅极 系统 | ||
【主权项】:
基于半桥控制驱动电路的交流信号放大式栅极驱动系统,其由驱动芯片M,自锁光激发电路,与该驱动芯片M相连接的驱动电路,以及自锁激发电路相连接的同相交流信号放大电路组成;其特征在于,在同相交流信号放大电路与驱动芯片M之间还串接有半桥控制驱动电路;所述半桥控制驱动电路由处理芯片U1,场效应管MOS1,三极管Q2,N极与三极管Q2的发射极相连接、P极则经电阻R6后与同相交流信号放大电路相连接的二极管D3,正极与二极管D3的P极相连接、负极接地的极性电容C6,与极性电容C6相并联的稳压二极管D2,正极经电阻R9后与处理芯片U1的RT管脚相连接、负极则经电阻R7后与场效应管MOS1的栅极相连接的极性电容C8,串接在场效应管MOS1的栅极和源极之间的电阻R8,正极与处理芯片U1的CT管脚相连接、负极则与场效应管MOS1的漏极相连接的极性电容C7,一端与处理芯片U1的HV管脚相连接、另一端则与三极管Q2的基极相连接的电阻R10,以及P极与处理芯片U1的VS管脚相连接、N极则与驱动芯片M的VCC管脚相连接的二极管D4组成;所述场效应管MOS1的源极则与同相交流信号放大电路相连接,而极性电容C8的负极则与驱动芯片M的INP管脚相连接;所述处理芯片U1的VCC管脚和其VB管脚分别与二极管D3的P极和N极相连接,其SGND管脚和VS管脚均与极性电容C8的负极相连接,其PGND管脚接地;所述三极管Q2的集电极与极性电容C8的负极相连接;所述同相交流信号放大电路由功率放大器P,一端经电阻R6后与二极管D3的P极相连接、另一端与功率放大器P的正极输入端相连接的电阻R4,一端与功率放大器P的负极输入端相连接、另一端与自锁光激发电路相连接的电阻R5,以及正极与功率放大器P的正极输入端相连接、负极外接电源的极性电容C5组成,所述功率放大器P的输出端与场效应管MOS1的源极相连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都颉盛科技有限公司,未经成都颉盛科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510325231.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:鼻子整形装置
- 下一篇:像素阵列、显示装置及其显示方法