[发明专利]自对准双层X射线波带片的制备方法

摘要

本发明属于纳米结构制备技术领域，具体为一种自对准双层X射线波带片的制备方法。其步骤包括在基片或者隔膜上淀积金属导电种子层，再在基片或者隔膜的正反两面旋涂光刻胶，利用电子束曝光技术进行曝光并显影得到设计的图形；然后利用纳米电镀的工艺,得到双层的X射线波带片结构；利用丙酮等有机溶液将光刻胶溶解，最后通过离子反应刻蚀将表面的种子层刻蚀，得到具有双层结构的X射线的波带片。本发明工艺条件稳定、可控制，图形的一致性好，且成本低；制备出的X射线波带片具有超高高宽比，衍射效率高，空间分辨率高。

主权项

一种自对准双层X射线波带片的制备方法，其特征在于具体步骤如下：(1)在基底上制备一金属层，作为电镀的导电种子层；(2)在带有导电种子层的基底的正反两面旋涂合适的光刻胶，利用电子束曝光机进行曝光处理，再对光刻胶进行显影，得到X射线波带片的光刻胶的图形；(3)采用纳米电镀技术，对带有图形的基底进行电镀，在显影掉的地方电镀上一金属层；(4)将经电镀的基底放入丙酮等有机溶剂中，清洗，去除表面的光刻胶，将纳米图形转移为金属的X射线波带片；(5) 用刻蚀的方法将暴露的导电种子层去除；其中：所述的基底材料为石英或者氮化硅，厚度为10nm ‑100nm；基底正反两面的光刻胶是同类型的；所述光刻胶选自PMMA。