[发明专利]半导体存储器及其制造方法

摘要

一种半导体存储器及其制造方法。所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成隧穿氧化层，在所述隧穿氧化层表面形成选择栅极和浮置栅极后，在所述浮置栅极表面形成控制栅极，且所述浮置栅极和控制栅极之间形成有栅间介质层。本发明通过由浮置栅极和控制栅极形成的双多晶硅层栅极结构，大大降低了存储器的工作电压、加快了存储器的反应速率、提高了存储器的数据存储能力，更有利于器件的小型化发展。

主权项

1.一种半导体存储器的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括若干存储单元区，各存储单元区包括隔离区和有源区；在存储单元区的所述有源区的半导体衬底上形成隧穿氧化层；在各存储单元区的所述隧穿氧化层表面形成相应的选择栅极及浮置栅极，所述选择栅极形成于有源区，所述浮置栅极形成于有源区和隔离区，且所述选择栅极和浮置栅极间相互间隔；在隔离区的所述浮置栅极的表面形成栅间介质层；在所述栅间介质层表面形成控制栅极；向所述有源区的半导体衬底内注入离子，于所述选择栅极和浮置栅极内形成源漏极；在形成所述源漏极后，在所述控制栅极以外的部分选择栅极顶部、部分浮置栅极顶部和有源区形成自对准金属硅化物层。