[发明专利]一种高转化效率的纳米硅薄膜太阳电池及其制备方法有效
申请号: | 201510326126.2 | 申请日: | 2015-06-15 |
公开(公告)号: | CN104966757B | 公开(公告)日: | 2017-03-29 |
发明(设计)人: | 章志斌 | 申请(专利权)人: | 广东汉能薄膜太阳能有限公司 |
主分类号: | H01L31/068 | 分类号: | H01L31/068;H01L31/0687;H01L31/18 |
代理公司: | 深圳市千纳专利代理有限公司44218 | 代理人: | 童海霓,刘彦 |
地址: | 517000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种高转化率的纳米硅薄膜太阳电池及其制备方法,纳米硅薄膜太阳电池包括透明衬底、前电极透明导电氧化层、预沉积层、非晶硅层、中间反射层、微晶硅层、背电极透明导电氧化层和反射封装层,所述前电极透明导电氧化层、预沉积层、非晶硅层、中间反射层、微晶硅层、背电极透明导电氧化层、反射封装层依次沉积叠加在所述透明衬底上。本发明的高转化率的纳米硅薄膜太阳电池具有高转换效率、高稳定性、适合工业化生产的特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 转化 效率 纳米 薄膜 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种高转化效率的纳米硅薄膜太阳电池,其特征在于:包括透明衬底(100)、前电极透明导电氧化层(200)、预沉积层(300)、非晶硅层(400)、中间反射层(500)、微晶硅层(600)、背电极透明导电氧化层(700)和反射封装层(800),所述前电极透明导电氧化层(200)、预沉积层(300)、非晶硅层(400)、中间反射层(500)、微晶硅层(600)、背电极透明导电氧化层(700)、反射封装层(800)依次沉积叠加在所述透明衬底(100)上;所述中间反射层(500)包括反射层和高效隧穿复合结(520),所述反射层包括n型掺杂的µc‑SiOx:H层(511)和n型掺杂的µc‑Si:H层(512),所述n型掺杂的µc‑SiOx:H层(511)、n型掺杂的µc‑Si:H层(512)均为双层,所述n型掺杂的µc‑SiOx:H层(511)、n型掺杂的µc‑Si:H层(512)彼此交错,所述n型掺杂的µc‑SiOx:H层(511)、n型掺杂的µc‑Si:H层(512)、高效隧穿复合结(520)沉积叠加在所述非晶硅层(400)表面。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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