[发明专利]一种高转化效率的纳米硅薄膜太阳电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201510326126.2 申请日: 2015-06-15
公开(公告)号: CN104966757B 公开(公告)日: 2017-03-29
发明(设计)人: 章志斌 申请(专利权)人: 广东汉能薄膜太阳能有限公司
主分类号: H01L31/068 分类号: H01L31/068;H01L31/0687;H01L31/18
代理公司: 深圳市千纳专利代理有限公司44218 代理人: 童海霓,刘彦
地址: 517000 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种高转化率的纳米硅薄膜太阳电池及其制备方法,纳米硅薄膜太阳电池包括透明衬底、前电极透明导电氧化层、预沉积层、非晶硅层、中间反射层、微晶硅层、背电极透明导电氧化层和反射封装层,所述前电极透明导电氧化层、预沉积层、非晶硅层、中间反射层、微晶硅层、背电极透明导电氧化层、反射封装层依次沉积叠加在所述透明衬底上。本发明的高转化率的纳米硅薄膜太阳电池具有高转换效率、高稳定性、适合工业化生产的特点。
搜索关键词: 一种 转化 效率 纳米 薄膜 太阳电池 及其 制备 方法
【主权项】:
一种高转化效率的纳米硅薄膜太阳电池,其特征在于:包括透明衬底(100)、前电极透明导电氧化层(200)、预沉积层(300)、非晶硅层(400)、中间反射层(500)、微晶硅层(600)、背电极透明导电氧化层(700)和反射封装层(800),所述前电极透明导电氧化层(200)、预沉积层(300)、非晶硅层(400)、中间反射层(500)、微晶硅层(600)、背电极透明导电氧化层(700)、反射封装层(800)依次沉积叠加在所述透明衬底(100)上;所述中间反射层(500)包括反射层和高效隧穿复合结(520),所述反射层包括n型掺杂的µc‑SiOx:H层(511)和n型掺杂的µc‑Si:H层(512),所述n型掺杂的µc‑SiOx:H层(511)、n型掺杂的µc‑Si:H层(512)均为双层,所述n型掺杂的µc‑SiOx:H层(511)、n型掺杂的µc‑Si:H层(512)彼此交错,所述n型掺杂的µc‑SiOx:H层(511)、n型掺杂的µc‑Si:H层(512)、高效隧穿复合结(520)沉积叠加在所述非晶硅层(400)表面。
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