[发明专利]一次性编程电阻式存储器有效
| 申请号： | 201510326415.2 | 申请日： | 2015-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN106328808B | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 陈达;林孟弘;王炳琨;廖绍憬 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 郭晓宇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种一次性编程电阻式存储器，包括：基底；第一电极，设于基底上；电阻变化层，设于第一电极上，其中电阻变化层为2N‑1层的电阻转态层，N为1以上的正整数；及第二电极，设于电阻变化层上，其中一次性编程电阻式存储器不包括对应至电阻变化层的存取晶体管。本发明通过使一次性编程电阻式存储器不具有对应至每一电阻变化层的存取晶体管及/或使用多层的电阻转态层作为其电阻变化层，可使一次性编程电阻式存储器更进一步微小化以提升其存储器密度，并可更进一步降低其操作电压，提升装置的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一次性 编程 电阻 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种一次性编程电阻式存储器，其特征在于，包括：一基底；一第一电极，设于所述基底上；一电阻变化层，设于所述第一电极上，其中所述电阻变化层为一2N‑1层的电阻转态层，N为2以上的正整数，其中所述电阻变化层至少包括：一第一电阻转态层，设于所述基底上；一第二电阻转态层，设于所述第一电阻转态层上；及一第三电阻转态层，设于所述第二电阻转态层上，其中所述第一电阻转态层、所述第二电阻转态层及所述第三电阻转态层的崩溃电压不同；及一第二电极，设于所述电阻变化层上，其中所述一次性编程电阻式存储器不包括对应至所述电阻变化层的存取晶体管。
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