[发明专利]掩模板图形结构及半导体芯片的制作方法有效
| 申请号： | 201510329579.0 | 申请日： | 2015-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN106252347B | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 张士健;陆晓锋;戴文旗;徐佳明;李晨 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示了一种掩模板图形结构及半导体芯片的制作方法。本发明的掩模板图形结构包括多个芯片单元图形，相邻芯片单元图形之间由切割道图形隔离，所述切割道图形包括刻蚀带图形及设置于所述刻蚀带图形两侧的空置区域，所述刻蚀带图形及所述空置区域沿所述切割道图形的宽度方向排列；多个制程检测区域，设置于至少一个芯片单元图形周围；以及测试键区域，设置于所述芯片单元图形中。与现有技术相比，能够利用DRIE技术进行芯片的切割，基本上避免了使用电锯切割，实现了降低甚至避免了封装切割时对电锯的磨损，又尽可能的减少了对芯片的浪费。 | ||
| 搜索关键词： | 模板 图形 结构 半导体 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种掩模板图形结构，包括：多个芯片单元图形，相邻芯片单元图形之间由切割道图形隔离，所述切割道图形包括刻蚀带图形及设置于所述刻蚀带图形两侧的空置区域，所述刻蚀带图形及所述空置区域沿所述切割道图形的宽度方向排列；多个制程检测区域，设置于至少一个芯片单元图形周围；以及测试键区域，设置于所述芯片单元图形中，所述测试键区域设置有至少一个测试键图形以及围绕所述至少一个测试键图形的空置图形。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510329579.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
