[发明专利]一种应用负压关断半桥电路驱动器的半桥电路及其方法有效

专利信息
申请号: 201510329752.7 申请日: 2015-06-15
公开(公告)号: CN104883038B 公开(公告)日: 2017-12-12
发明(设计)人: 高峰;周琦 申请(专利权)人: 山东大学
主分类号: H02M1/088 分类号: H02M1/088
代理公司: 济南圣达知识产权代理有限公司37221 代理人: 赵妍
地址: 250061 山东*** 国省代码: 山东;37
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种应用负压关断半桥电路驱动器的半桥电路及其方法,该半桥电路包括直流电源,所述直流电源的输出端串接有SiC MOSFET半桥电路,所述SiC MOSFET半桥电路,包括串联连接的上桥臂和下桥臂,以及上桥臂驱动器和下桥臂驱动器;所述上桥臂驱动器和下桥臂驱动器均包括负压产生电路,所述负压产生电路产生驱动半桥电路的负压信号,并将负压信号传送至消除负压尖峰电路中,所述消除负压尖峰电路与负压产生电路串联连接。本发明在不增加额外控制信号的前提下,通过PNP三极管自身的导通和关断,有效地解决了半桥单元串扰对驱动信号造成的负压尖峰,降低了由于栅源极负压超过限定值造成SiC器件损坏的风险。
搜索关键词: 一种 应用 负压关断半桥 电路 驱动器 及其 方法
【主权项】:
一种负压关断半桥电路驱动器,其特征在于,包括负压产生电路,其产生驱动半桥电路的负压信号,并将负压信号传送至消除负压尖峰电路中来消除半桥电路中的负压信号的负向电压尖峰,所述消除负压尖峰电路与负压产生电路串联连接;所述消除负压尖峰电路,包括第二电容,第二电容的一端连接至SiC MOSFET开关管的栅极,所述第二电容的另一端连接PNP型三极管的集电极,SiC MOSFET开关管的源极与PNP型三极管的发射极相连;所述PNP型三极管的基极和发射极两端并联有RD并联电路,所述RD并联电路包括第三电阻及与第三电阻并联连接的二极管;所述负压产生电路,包括交流电源,所述交流电源的输出端串联一推挽连接的第一三极管和第二三极管,所述第一三极管和第二三极管连结点处串接RC并联电路;所述RC并联电路串接第二电阻后,并联在所述第二三极管的发射极与集电极两端;所述第二电阻与所述消除负压尖峰电路并联连接;所述RC并联电路包括第一电阻及其并联连接的第一电容;当第一三极管导通,第二三极管关断,RC并联电路中的第一电容进行预充电来提供负压信号,对第一电阻和第二电阻的设定值进行调节;同时,电流流经第三电阻, PNP型三极管导通,第二电容进行预充电;当第一三极管关断,第二三极管导通,RC并联电路中的第一电容为半桥电路的上桥臂和下桥臂提供负压信号,PNP型三极管关断。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东大学,未经山东大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510329752.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top