[发明专利]结终端扩展结构及该结构的制造方法在审
申请号: | 201510330576.9 | 申请日: | 2015-06-15 |
公开(公告)号: | CN106252384A | 公开(公告)日: | 2016-12-21 |
发明(设计)人: | 李理;马万里;赵圣哲 | 申请(专利权)人: | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06;H01L21/266 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司11002 | 代理人: | 李相雨 |
地址: | 100871 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开一种结终端扩展结构及该结构的制造方法,所涉及的结终端扩展结构较现有的结终端扩展结构的抗击穿能力更强。所述结构包括:P型注入区域;其中,所述P型注入区域包括P-注入区域和至少2个P+注入区域,所述P+注入区域和所述P-注入区域接触,所述P+注入区域注入的P型离子的剂量大于P-注入区域注入的P型离子的剂量。 | ||
搜索关键词: | 终端 扩展 结构 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种结终端扩展结构,其特征在于,包括:P型注入区域;其中,所述P型注入区域包括P‑注入区域和至少2个P+注入区域,所述P+注入区域和所述P‑注入区域接触,所述P+注入区域注入的P型离子的剂量大于P‑注入区域注入的P型离子的剂量。
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