[发明专利]一种在非金属衬底上直接生长石墨烯的方法

摘要

一种在非金属衬底上直接生长石墨烯的方法，属于半导体材料生长技术领域。目前在非金属衬底上进行石墨烯的生长需要先将石墨烯生长在金属衬底上，再通过转移的方法将其转移到目标衬底上。这种方法关键的缺陷是转移过程中的非理想因素，即石墨烯的完整性可能被破坏从而进一步影响所制造器件的性能。通过在非金属衬底上溅射一层几纳米厚的金属层，就可以直接在非金属衬底上进行石墨烯的生长，有效地避免了转移过程可能带来的问题，极大地简化了工艺流程。

主权项

一种在非金属衬底上直接生长石墨烯的方法，其特征在于，包括以下工艺步骤：步骤1、对非金属衬底表面进行清洗，用氮气吹干；步骤2、在非金属衬底表面溅射一层1‑10nm厚的薄金属层；步骤3、将生长了薄金属层的衬底放入CVD反应室直接进行石墨烯的化学气相沉积生长。