[发明专利]一种提高单晶硅棒利用率的加工方法有效
| 申请号： | 201510331104.5 | 申请日： | 2015-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN104960100B | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 郑欢欣;王伟棱;潘金平;饶伟星 | 申请（专利权）人： | 浙江海纳半导体有限公司 |
| 主分类号： | B28D5/02 | 分类号： | B28D5/02;B28D5/00 |
| 代理公司： | 杭州中成专利事务所有限公司33212 | 代理人： | 金祺 |
| 地址： | 310052 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高单晶硅棒利用率的加工方法；包括如下的步骤：首先、切取单晶硅棒中多余的单晶；其次、将切取的单晶通过加工后形成合格的圆形晶锭或者合格的方形晶锭。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 单晶硅 利用率 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种提高单晶硅棒利用率的加工方法；其特征是：包括如下的步骤：首先、切取单晶硅棒中多余的单晶；其次、将切取的单晶通过加工后形成合格的圆形晶锭；通过掏棒机进行圆形晶锭的加工；所述圆形晶锭的加工步骤如下：首先、将所切取的单晶固定在掏棒机上，使单晶垂直于固定台；其次、设定所要掏取的晶棒直径，选取对应尺寸的钻头，使钻头轴心与单晶轴心保持一致，并进行钻取；最后、将钻取的晶棒在滚磨机床上进行滚圆加工，形成合格的圆形晶锭。
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