[发明专利]一种PN结二极管传感器及其制作方法和应用有效
| 申请号： | 201510331288.5 | 申请日： | 2015-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN105140395B | 公开（公告）日： | 2018-06-26 |
| 发明（设计）人： | 黄佳;张郭骞;刘大鹏 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/40;G01N27/00 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种PN结二极管传感器及其制作方法和应用，包括表面有厚度为500nm二氧化硅层的衬底；蒸镀在二氧化硅层表面的N型半导体层及P型半导体层，两种半导体层之间部分相互重叠，重叠部分的宽度小于半导体层宽度的1/10；在N型半导体层及P型半导体层上均设有金电极，两金电极之间的距离为电极长度的1/100‑3/100，该传感器用于检测物质含量，具有很高的灵敏性。与现有技术相比，本发明提高了传感器的电学性能和灵敏性，实现了对粉体物质的直接检测。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 半导体层 金电极 灵敏性 二氧化硅层表面 二氧化硅层 电学性能 粉体物质 检测物质 直接检测 电极 衬底 蒸镀 制作 应用 | ||
【主权项】：
1.一种PN结二极管传感器，其特征在于，包括表面有厚度为500nm二氧化硅层的衬底；蒸镀在二氧化硅层表面的N型半导体层及P型半导体层，两种半导体层之间部分相互重叠，重叠部分的宽度小于半导体层宽度的1/10；在N型半导体层及P型半导体层上均设有金电极，两金电极之间的距离为电极长度的1/100‑3/100；所述的N型半导体层的材质为N,N’‑双(3‑(全氟辛烷)‑丙烷)‑1,4,5,8萘’四羧酸二氨酯，所述的P型半导体层的材质为DNTT。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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