[发明专利]一种光栅微环互调结构的光波导生化传感器在审
| 申请号： | 201510331306.X | 申请日： | 2015-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN104990871A | 公开（公告）日： | 2015-10-21 |
| 发明（设计）人： | 王卓然;袁国慧;陈昱任;孙文瀚;王军 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G01N21/17 | 分类号： | G01N21/17 |
| 代理公司： | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人： | 周永宏;王伟 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光栅微环互调结构的光波导生化传感器，包括自下而上依次层叠键合的硅基层、二氧化硅层和单晶硅层构成的SOI基体，所述SOI基体的单晶硅层包含第一直波导、第二直波导、外环形谐振腔和内环形光栅谐振腔。本发明的光波导生化传感器由于内环形光栅谐振腔对外环形谐振腔的调制作用，可以使外环形谐振腔中某些谐振峰得到抑制，从而增大了自由光谱范围，同时由于内环形光栅谐振腔能够将光极大的限制在光栅区域，从而有效增强了光和物质之间的相互作用，另外内环形光栅谐振腔能够使光在谐振腔中来回震荡，增加光与物质相互作用的强度和有效长度，使检测灵敏度更高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光栅 微环互调 结构 波导 生化 传感器 | ||
【主权项】：
一种光栅微环互调结构的光波导生化传感器，其特征在于：包括自下而上依次层叠键合的硅基层、二氧化硅层和单晶硅层构成的SOI基体，所述SOI基体的单晶硅层包含第一直波导、第二直波导、外环形谐振腔和内环形光栅谐振腔，所述外环形谐振腔分别与第一直波导和第二直波导耦合连接，内环形光栅谐振腔设于外环形谐振腔内沿，与外环形谐振腔位于同一平面。
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