[发明专利]低温多晶硅TFT基板的制作方法及低温多晶硅TFT基板

摘要

本发明提供一种低温多晶硅TFT基板的制作方法及低温多晶硅TFT基板。本发明的低温多晶硅TFT基板的制作方法，通过在缓冲层上形成一层绝缘性能及导热性质很好的导热绝缘层，使其在快速热退火处理过程中能很快吸收大量热量并且传给与之接触的非晶硅层，使此处的非晶硅结晶效率提高，得到晶粒更大、晶界更少的多晶硅，从而增强相应TFT器件载流子的迁移率，减小晶界对漏电流的影响。本发明的低温多晶硅TFT基板，缓冲层上对应多晶硅半导体层的下方设有导热绝缘层，多晶硅结晶的晶粒尺寸较大，晶界数量较少，TFT器件载流子的迁移率较高，TFT的电性较好。

主权项

一种低温多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一基板(1)，在基板(1)上沉积缓冲层(2)；步骤2、在缓冲层(2)上沉积一层导热绝缘薄膜，并对该导热绝缘薄膜进行图案化处理，得到导热绝缘层(3)；步骤3、在缓冲层(2)上沉积非晶硅层(4)，所述非晶硅层(4)完全覆盖所述导热绝缘层(3)；步骤4、采用离子植入技术在非晶硅层(4)内植入硼离子，再对非晶硅层(4)进行快速热退火处理，使非晶硅结晶成多晶硅，然后通过蚀刻工艺蚀刻掉结晶过程中从多晶硅表面析出的导电层，得到多晶硅层(5)；步骤5、对多晶硅层(5)进行图案化处理，形成多晶硅半导体层(50)；步骤6、在所述多晶硅半导体层(50)上涂布光阻，通过对所述光阻进行曝光、显影，得到位于所述多晶硅半导体层(50)上的光阻层(55)，暴露出所述多晶硅半导体层(50)的两端区域；以所述光阻层(55)为遮蔽层，对所述多晶硅半导体层(50)的两端区域通过离子植入技术植入硼离子，形成源/漏极接触区(51)；步骤7、剥离所述光阻层(55)，在多晶硅半导体层(50)上依次形成栅极绝缘层(6)、栅极(7)、层间绝缘层(8)、源/漏极(9)，所述源/漏极(9)与多晶硅半导体层(50)两端的源/漏极接触区(51)相接触。