[发明专利]基于U型光纤和Sagnac环的磁场传感器在审

专利信息
申请号: 201510331531.3 申请日: 2015-06-16
公开(公告)号: CN104898073A 公开(公告)日: 2015-09-09
发明(设计)人: 卜胜利;罗龙锋 申请(专利权)人: 上海理工大学
主分类号: G01R33/032 分类号: G01R33/032
代理公司: 上海申汇专利代理有限公司 31001 代理人: 吴宝根;王晶
地址: 200093 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种基于U型光纤和Sagnac环的磁场传感装置,包括超连续光源、2×2熔融型3dB耦合器、电磁铁、载玻片、浸没于磁流体中的U型弯曲光纤结构、光谱仪,所述2×2熔融型3dB耦合器输入端连接超连续光源、输出端连接光谱仪,所述浸没于磁流体中的U型弯曲光纤结构接入2×2熔融型3dB耦合器剩余的两个端口形成Sagnac环,且浸没于磁流体中的U型弯曲光纤结构放入电磁铁产生的匀强磁场中。利用U型光纤结构和Sagnac环的双折射干涉增强效应,结合磁流体的可调谐折射率特性实现了一种磁场传感装置,具有结构和制作工艺简单、灵敏度高、体积小、成本低、可操作性强等优点,还可应用于远程和恶劣环境中的磁场传感与监测领域。
搜索关键词: 基于 光纤 sagnac 磁场 传感器
【主权项】:
一种基于U型光纤和Sagnac环的磁场传感装置,包括超连续光源(1)、2×2熔融型3dB耦合器(2)、电磁铁(3)、载玻片(4)、浸没于磁流体中的U型弯曲光纤结构(5)、光谱仪(6),其特征在于:所述2×2熔融型3dB耦合器输入端连接超连续光源(1)、输出端连接光谱仪(6),所述浸没于磁流体中的U型弯曲光纤结构(5)接入2×2熔融型3dB耦合器(2)剩余的两个端口形成Sagnac环,且浸没于磁流体中的U型弯曲光纤结构(5)放入电磁铁产生的匀强磁场中。
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