[发明专利]一种氮化物单晶生长装置有效
申请号: | 201510331552.5 | 申请日: | 2015-06-16 |
公开(公告)号: | CN104878451B | 公开(公告)日: | 2017-07-28 |
发明(设计)人: | 巫永鹏;李成明;陈蛟;罗睿宏;李顺峰;张国义 | 申请(专利权)人: | 北京大学东莞光电研究院 |
主分类号: | C30B29/38 | 分类号: | C30B29/38;C30B29/40;C30B11/00 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司44102 | 代理人: | 罗晓林 |
地址: | 523000 广东省东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种氮化物单晶生长装置,包括反应釜,该反应釜内填充有溶液,反应釜内底部设有晶种模板,所述反应釜内部设置有完全浸没在溶液中的溶液流向引导装置,反应釜底面和侧壁周围均设有加热器,溶液流向引导装置为中空管体,该中空管体底部固定在反应釜底面,该中空管体侧壁下部设有导通孔。本发明有效地克服了传统液相法生长氮化物单晶过程中的不利因素,如存在N空位、结晶不均匀、生长速度慢等问题,提高结晶材料质量。 | ||
搜索关键词: | 一种 氮化物 生长 装置 | ||
【主权项】:
一种氮化物单晶生长装置,包括反应釜,该反应釜内填充有溶液,反应釜内底部设有晶种模板,其特征在于,所述反应釜内部设置有完全浸没在溶液中的引导溶液定向流动的溶液流向引导装置,反应釜底面和侧壁周围均设有加热器,所述溶液流向引导装置为中空管体,该中空管体底部固定在反应釜底面,该中空管体侧壁下部设有导通孔。
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