[发明专利]蓝宝石双抛片的快速加工方法

摘要

本发明提供了一种蓝宝石双抛片的快速加工方法。首先采用B4C磨料进行研磨，B4C磨料研磨过程分为两步240#的B4C磨料的双面粗磨及W40的B4C磨料的二次双面粗磨，倒角之后采用研磨垫配合钻石液进行粗抛，最后采用硅溶胶抛光液进行CMP精抛。本发明针对目前蓝宝石晶片双抛工艺制程中B4C磨料双面精磨时易于碎片以及双面CMP抛光时去除效率低、抛光时间长等问题，提出采用钻石液配合研磨垫进行粗抛，以此取代B4C磨料双面精磨，并对CMP阶段抛光液配方进行调整，具有高效等优点。

主权项

一种蓝宝石双抛片的快速加工方法，其特征在于它包括以下步骤：首先采用B4C磨料进行研磨，B4C磨料研磨过程分为两步：240#的B4C磨料的双面粗磨及W40的B4C磨料的二次双面粗磨，工艺采用小压力高转速的方法进行研磨，粗抛与CMP精抛的加工过程均采取分段控制的方式，在加工初期及后期采用相对较小的压力及转速，以减少晶片表面损伤；240#磨料的研磨压力为20g/cm2，W40磨料的研磨压力为35g/cm2，转速均为30rpm，研磨后晶片表面质量控制在TTV≤5μm，WARP≤8μm；倒角之后采用研磨垫配合钻石液进行粗抛，钻石液粗抛过程中采用的氨酯研磨垫，磨料为多晶金刚石粉，磨料粒径为5μm，粗抛初始及结束前10分钟内压力为200g/cm2，转速为10rpm，中间阶段压力为400g/cm2，转速为20rpm，粗抛后晶片表面质量控制在TTV≤3μm，WARP≤5μm，最后采用硅溶胶抛光液进行CMP精抛，CMP精抛中采用的硅溶胶为两种不同粒径按一定比例加水自行配制，一种粒径为100nm，一种20nm，其中小粒径溶胶占总溶胶质量比为15%，溶胶与水的质量比约为1:1，浆料PH值10.5，CMP初始及结束前5分钟内压力为300g/cm2，转速为20rpm，中间阶段压力为压力500g/cm2，转速为30rpm，加工后晶片表面粗糙度Ra≤0.4nm，TIR≤10μm。