[发明专利]半导体集成电路器件和使用它的电子装置的制造方法在审

专利信息
申请号: 201510332480.6 申请日: 2015-06-16
公开(公告)号: CN105305999A 公开(公告)日: 2016-02-03
发明(设计)人: 小泽治;西冈草志郎;中村誉;阿部信;谷口一哉;谷村政明 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H03H9/17 分类号: H03H9/17;H03H3/02
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 刘倜
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 本公开涉及半导体集成电路器件和使用它的电子装置的制造方法。一种具有与晶体振荡器组合执行振荡的功能的半导体集成电路器件包含:第一阻抗元件,包含与晶体振荡器的一个端子耦合的第一外部端子、与晶体振荡器的另一端子耦合的第二外部端子和当执行振荡时与第一和第二外部端子耦合的第一和第二端子;与反馈阻抗元件的第一端子耦合的第一可变电容电路;和用于设定第一可变电容电路的电容值的配置电路。测量信号被供给到反馈阻抗元件的第二端子,并且,作为其响应,基于在第一端子上产生的观察信号关于测量信号的延迟时间由配置电路设定第一可变电容电路的电容值。
搜索关键词: 半导体 集成电路 器件 使用 电子 装置 制造 方法
【主权项】:
一种半导体集成电路器件,具有与具有一对端子的晶体振荡器组合执行振荡的功能,其中,所述半导体集成电路器件包含:第一外部端子,当执行所述振荡时与所述晶体振荡器的所述一对端子中的一个耦合;第二外部端子,当执行所述振荡时与所述晶体振荡器的所述一对端子中的另一个耦合;反馈阻抗元件,包含在执行所述振荡时与所述第一外部端子耦合的第一端子以及与所述第二外部端子耦合的第二端子;第一可变电容电路,与所述反馈阻抗元件的所述第一端子耦合;和配置电路,用于设定所述第一可变电容电路的电容值,其中,第一测量信号被供给到所述反馈阻抗元件的所述第二端子,其中,响应于所述第一测量信号的供给,基于关于在所述反馈阻抗元件的所述第一端子处产生的第一观察信号的所述第一测量信号的延迟时间,由所述配置电路设定所述第一可变电容电路的电容值。
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