[发明专利]半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510332823.9 | 申请日： | 2015-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN106257622B | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 孙志铭;徐新惠;蔡明翰 | 申请（专利权）人： | 原相科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/308 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 张一军;姜劲 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提出一种半导体元件的制造方法。半导体元件的制造方法包括：提供基板；于基板上形成半导体堆叠结构；于半导体堆叠结构上形成堆叠覆盖层的至少一部分，其中堆叠覆盖层的至少一部分包括氮化层；移除氮化层的一部分；完成堆叠覆盖层的所有部分；于堆叠覆盖层上形成保护层，并蚀刻保护层，以形成至少一开孔，其中氮化层未被开孔所暴露；以及从开孔通入一蚀刻材料，以蚀刻基板。本发明另提出一种采用上述方法形成的半导体元件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包括：提供一基板；于该基板上形成一半导体堆叠结构；于该半导体堆叠结构上形成一堆叠覆盖层，其中该堆叠覆盖层包括一氮化层；于该堆叠覆盖层上形成一保护层，并蚀刻该保护层，以形成至少一开孔，其中该开孔暴露出该至少部分氮化层；于该开孔的侧壁形成一保护氧化层，以覆盖该至少部分氮化层；以及从该开孔通入一蚀刻材料，以蚀刻该基板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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