[发明专利]功率二极管装置的处理方法及设备

摘要

本发明公开一种功率二极管装置的处理方法，包括以下步骤：首先，提供经干式蚀刻后的至少一功率二极管装置半成品；接着，将经干式蚀刻后的至少一功率二极管装置半成品置于一高挥发性溶剂中，并进行一双频超声波的震荡清洗步骤，以去除经干式蚀刻后的至少一功率二极管装置半成品上残留的干式蚀刻的污染物；最后，将经双频超声波的震荡清洗后的至少一所述功率二极管装置半成品进行一第二次清洗步骤。采用本发明的处理方法，可大幅提升功率二极管表面的微粒污染的清除效率。

主权项

1.一种功率二极管装置的处理方法，其特征在于，所述处理方法包括以下步骤：提供经干式蚀刻后的至少一功率二极管装置半成品；将经干式蚀刻后的所述至少一功率二极管装置半成品置于一高挥发性溶剂中，并进行一双频超声波的震荡清洗步骤，以去除经干式蚀刻后的所述至少一功率二极管装置半成品上残留的干式蚀刻的污染物；以及将经双频超声波的震荡清洗后的所述至少一功率二极管装置半成品进行一冲洗步骤；其中所述双频超声波的震荡清洗步骤包括同时或交替地对所述高挥发性溶剂施加一高频超声波及一低频超声波，所述高频超声波的频率范围介于80至150KHz之间，所述低频超声波的频率小于50KHz，所述双频超声波的震荡清洗步骤的时间介于40至120秒之间，所述冲洗步骤的时间介于40至120秒之间；所述冲洗步骤包括利用另一高挥发性溶剂喷洒冲洗经双频超声波的震荡清洗后的所述至少一功率二极管装置半成品，以去除回沾到经双频超声波的震荡清洗后的所述至少一功率二极管装置半成品的表面的干式蚀刻的污染物。