[发明专利]具有多个电阻状态的相变存储器结构及其编程和感测方法有效
| 申请号： | 201510333524.7 | 申请日： | 2008-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN104882160B | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 刘峻;迈克·瓦奥莱特 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56;G11C13/00;H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及具有多个电阻状态的相变存储器结构及其编程和感测方法。本发明提供一种具有多个电阻状态的相变存储器结构及其形成、编程和感测方法。所述存储器结构包含提供于电极之间的两个或两个以上相变元件。每一相变元件具有随着编程电压而变的相应电阻曲线，所述电阻曲线相对于其它相变元件的所述电阻曲线而移位。在使用两个相变元件的一个实例结构中，所述存储器结构能够在四个电阻状态之间切换。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电阻 状态 相变 存储器 结构 及其 编程 方法 | ||
【主权项】：
1.一种可编程电阻性存储器单元，其包括：多个相变电阻元件，其提供于单个第一电极与单个第二电极之间，所述相变电阻元件中的每一者与所述单个第一电极和所述单个第二电极接触，且具有随着编程电压而变的相应电阻曲线，所述电阻曲线相对于所述相变电阻元件中的其它者的所述电阻曲线而移位，其中所述多个相变电阻元件与相同的单个第一电极以及相同的单个第二电极接触，其中所述多个相变电阻元件呈堆栈排列，且所述相同的单个第一电极以及相同的单个第二电极与所述相变电阻元件的堆栈的侧边接触。
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