[发明专利]采用力成像的接近感测的装置和方法有效
| 申请号： | 201510333525.1 | 申请日： | 2015-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN105278735B | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | R.R.谢迪维;P.埃卡拉西 | 申请（专利权）人： | 辛纳普蒂克斯公司 |
| 主分类号： | G06F3/041 | 分类号： | G06F3/041 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 郑冀之;张懿 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述用于操作电子系统的方法、系统和装置，该电子系统包括柔顺组件，其具有输入表面、传感器电极的第一阵列、传感器电极的第二阵列和传感器电极的第三阵列。输入装置还包括与柔顺组件分隔开的导电衬底以及布置在柔顺组件与导电衬底之间的顺应性组件。响应输入物体在输入表面上所施加的压力，柔顺组件和传感器电极的第一、第二、第三阵列局部变形并且顺应性组件局部压缩，使得导电衬底与来自第一、第二和第三阵列的每个的至少一个电极之间的间距减小。 | ||
| 搜索关键词： | 用力 成像 接近 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种用于电子系统的输入装置，包括：柔顺组件，具有输入表面、传感器电极的第一阵列、传感器电极的第二阵列和传感器电极的第三阵列；导电衬底，与所述柔顺组件分隔开；以及顺应性组件，布置在所述柔顺组件与所述导电衬底之间；其中响应输入物体向所述输入表面所施加的压力，所述柔顺组件和传感器电极的所述第一、第二、第三阵列局部变形并且所述顺应性组件局部压缩，使得所述导电衬底与分别来自所述第一、第二和第三阵列的每个的至少一个电极之间的间距减小。
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