[发明专利]多晶硅锭的制备方法、多晶硅锭及多晶硅片在审
| 申请号： | 201510333623.5 | 申请日： | 2015-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN104862778A | 公开（公告）日： | 2015-08-26 |
| 发明（设计）人： | 游达;黄春来;周声浪;贾晨晨 | 申请（专利权）人： | 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 唐清凯 |
| 地址： | 221004 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种多晶硅锭的制备方法，包括以下步骤：在坩埚底部铺设熔点、密度大于硅且不与硅液及坩埚发生反应的形核源，形成形核源层；在形核源层上方设置熔融状态的硅料；控制所述坩埚内的温度沿垂直于所述坩埚底部向上的方向逐渐上升，使得所述熔融状态的硅料在所述形核源上方形核结晶，生成晶体硅锭。由于形核源的熔点和密度均高于熔融硅，且不与硅液和坩埚发生反应，在铸锭形核后依然保持形核源本身的特性，因此可以重复利用。此外，还出一种由上述方法制备的多晶硅锭，及由该多晶硅锭为原料进行开方-切片-清洗后制得的多晶硅片。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 制备 方法 硅片 | ||
【主权项】：
一种多晶硅锭的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在坩埚底部铺设熔点、密度大于硅且不与硅液及坩埚发生反应的形核源，形成形核源层；在形核源层上方设置熔融状态的硅料；控制所述坩埚内的温度沿垂直于所述坩埚底部向上的方向逐渐上升，使得所述熔融状态的硅料在所述形核源上方形核结晶，生成晶体硅锭。
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