[发明专利]CMOS器件的制作方法在审
| 申请号： | 201510334004.8 | 申请日： | 2015-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN106257645A | 公开（公告）日： | 2016-12-28 |
| 发明（设计）人： | 马万里;闻正锋;赵文魁 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 张莲莲;黄健 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种CMOS器件的制作方法，包括：在基底的场氧化层上形成第一多晶硅层；在第一多晶硅层的侧壁上形成侧墙，侧墙背离栅极的一边呈弧形，且侧墙的底部大于侧墙的顶部；在基底、第一多晶硅层和侧墙上形成介电材料层；在介电材料层上形成第二多晶硅材料层；对介电材料层和第二多晶硅材料层进行刻蚀，形成介电层和第二多晶硅层，介电层位于第一多晶硅层上，第二多晶硅层位于介电层上。根据本发明的CMOS器件的制作方法，能够避免形成介电层和第二多晶硅层时的残留，进而避免影响CMOS器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种CMOS器件的制作方法，其特征在于，包括：在基底的场氧化层上形成第一多晶硅层；在第一多晶硅层的侧壁上形成侧墙，所述侧墙背离所述栅极的一边呈弧形，且侧墙的底部大于侧墙的顶部；在基底、第一多晶硅层和侧墙上形成介电材料层；在介电材料层上形成第二多晶硅材料层；对介电材料层和第二多晶硅材料层进行刻蚀，形成介电层和第二多晶硅层，介电层位于第一多晶硅层上，第二多晶硅层位于介电层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
