[发明专利]射频RF LDMOS器件的制造方法有效
| 申请号： | 201510334999.8 | 申请日： | 2015-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN106257630B | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | 马万里;闻正锋;赵文魁 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/266;H01L29/36 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 娄冬梅;黄健 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种射频RF LDMOS器件的制造方法，包括：提供衬底，向器件的漂移区对应的衬底表面进行氧离子注入，形成注入区；在衬底表面上生长外延层，形成所述器件的下沉层，通过进行第二次热驱入，使所述下沉层和除所述注入区下方以外的衬底扩散，直至所述下沉层与所述衬底接触；根据预设的工艺，形成所述器件的栅极、源区和漏区。通过本发明提供的方法，能够避免因衬底扩散导致外延层的有效厚度减小，进而有效提高器件的耐压特性。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 rfldmos 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种射频RF LDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，向器件的漂移区对应的衬底表面进行氧离子注入，形成注入区；在衬底表面上生长外延层，形成所述器件的下沉层，通过进行第二次热驱入，使所述下沉层和除所述注入区下方以外的衬底扩散，直至所述下沉层与所述衬底接触；根据预设的工艺，形成所述器件的栅极、源区和漏区；其中，所述向器件的漂移区对应的衬底表面进行氧离子注入，包括：在整个衬底表面覆盖阻挡层，并通过光刻去除位于所述漂移区对应的衬底表面上的阻挡层，以暴露所述漂移区对应的衬底表面；以阻挡层为掩膜，进行氧离子注入，并去除所述阻挡层；其中，所述向器件的漂移区对应的衬底表面进行氧离子注入之后，还包括：进行第一次热驱入，使所述注入区中氧离子的峰值深度达到0.3～1微米，其中，所述峰值深度为所述注入区中氧离子的浓度达到峰值的区域距离衬底表面的深度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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