[发明专利]一种光刻胶、量子点层图案化的方法及QLED、量子点彩膜和显示装置有效
| 申请号： | 201510335044.4 | 申请日： | 2015-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN105098002B | 公开（公告）日： | 2018-04-03 |
| 发明（设计）人： | 张斌;周婷婷;张锋;张伟;高锦成 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 柴亮,张天舒 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种光刻胶、量子点层图案化的方法及QLED、量子点彩膜和显示装置，属于显示技术领域，其可解决现有的图案化的方法破坏量子点的问题。本发明的量子点层图案化的方法包括在基板上形成光刻胶材料层的步骤，对光刻胶进行构图的步骤，对光刻胶进行亲水处理的步骤；涂布量子点的步骤；除去剩余光刻胶上的量子点的步骤；剥离光刻胶的步骤。本发明的量子点层图案化的方法可以提高光刻胶的亲水性能，降低具有亲油性的量子点在光刻胶上的附着力。剥离光刻胶时，不会造成基板目标位置的量子点脱落。本发明的量子点层图案化的方法适用于包括量子点层的发光二极管显示器和量子点彩膜以及应用量子点彩膜的显示装置。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 量子 图案 方法 qled 点彩膜 显示装置 | ||
【主权项】：
一种量子点层图案化的方法，其特征在于，包括以下步骤：在基板上形成光刻胶材料层的步骤，对光刻胶进行构图的步骤，对光刻胶进行亲水处理的步骤；涂布量子点的步骤；除去剩余光刻胶上的量子点的步骤；剥离光刻胶的步骤。
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