[发明专利]八晶体管静态随机存取存储器的布局图案与形成方法有效
| 申请号： | 201510336560.9 | 申请日： | 2015-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN106328188B | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 吕添裕;陈昌宏;郭有策;黄俊宪 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种八晶体管静态随机存取存储器(8T‑SRAM)的布局图案与形成方法，其布局图案包含一第一扩散区、一第二扩散区以及一第三扩散区位于一基底上，其中该第三扩散区与该第一扩散区之间存在有一极限间距区，且该极限间距区直接接触该第一扩散区与该第三扩散区，以及一第一增设扩散区、一第二增设扩散区与一第三增设扩散区，分别沿着该第一扩散区、该第二扩散区与该第三扩散区的外围排列，并分别直接接触该第一扩散区、该第二扩散区与该第三扩散区，其中该增设扩散区不位于该极限间距区的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 静态 随机存取存储器 布局 图案 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种八晶体管静态随机存取存储器的布局图案，包含：第一扩散区、第二扩散区以及第三扩散区，位于一基底上，其中该第三扩散区与该第一扩散区之间存在有一极限间距区，且该极限间距区直接接触该第一扩散区与该第三扩散区；以及第一增设扩散区、第二增设扩散区与第三增设扩散区，分别沿着该第一扩散区、该第二扩散区与该第三扩散区的外围排列，并分别直接接触该第一扩散区、该第二扩散区与该第三扩散区，其中该增设扩散区不位于该极限间距区的范围内。
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