[发明专利]嵌入PIP电容的CMOS制作方法

摘要

本发明提供一种嵌入PIP电容的CMOS制作方法，该方法包括：在衬底表面内形成阱区，并定义位于阱区内的有源区，在有源区以外的衬底表面上形成场氧化层；在场氧化层靠近外围的部分区域表面上形成第一多晶硅层，并去除有源区表面上的垫氧化层；在整个器件的表面上形成介电层；注入阈值离子，形成有源区对应的衬底表面内的注入区；对介电层进行刻蚀，保留位于第一多晶硅层上的介电层；在有源区对应的衬底表面上形成栅氧化层，并在介电层和栅氧化层的部分区域表面上形成第二多晶硅层；在衬底表面上形成围绕第一多晶硅层和围绕第二多晶硅层的侧墙，并形成器件的源区、漏区以及轻掺杂漏区LDD。避免了传统工艺对阈值离子分布造成的影响，提高了器件的性能。

主权项

1.一种嵌入PIP电容的CMOS制作方法，其特征在于，包括：在衬底表面内形成阱区，并定义位于所述阱区内的有源区，在所述有源区以外的衬底表面上形成场氧化层，所述场氧化层嵌设于衬底表面；在所述场氧化层靠近外围的部分区域表面上形成第一多晶硅层，以形成PIP电容的下极板，并去除有源区表面上的垫氧化层；在整个器件的表面上形成介电层；注入阈值离子，形成位于所述有源区对应的衬底表面内的注入区；对所述介电层进行刻蚀，保留位于所述第一多晶硅层上的介电层；在所述有源区对应的衬底表面上形成栅氧化层，并在所述介电层和所述栅氧化层的部分区域表面上形成第二多晶硅层，以形成所述电容的上极板和所述CMOS的栅极；在衬底表面上形成围绕所述第一多晶硅层和围绕第二多晶硅层的侧墙，并形成所述器件的源区、漏区以及轻掺杂漏区LDD；所述在所述衬底表面内形成阱区，并定义位于所述阱区内的有源区，在所述有源区以外的衬底表面上形成场氧化层，包括：在衬底表面覆盖光刻胶，通过光刻工艺定义阱区，并在光刻胶的阻挡下完成所述阱区的杂质注入和驱入，去除剩余的光刻胶；在整个器件的表面上形成垫氧化层，并在所述垫氧化层的表面上生长氮化硅层；在氮化硅层表面覆盖光刻胶，通过光刻工艺定义有源区，并在光刻胶的阻挡下对所述有源区以外的氮化硅层进行刻蚀，直至露出所述垫氧化层，去除剩余的光刻胶；通过热氧化工艺，在所述有源区以外的衬底表面生长所述场氧化层；去除剩余的氮化硅层；所述在所述场氧化层靠近外围的部分区域表面上形成第一多晶硅层，包括：在整个器件的表面上形成第一多晶硅层；对所述第一多晶硅层进行刻蚀，保留位于所述场氧化层靠近外围的部分区域表面上的第一多晶硅层；所述形成所述器件的源区以及轻掺杂漏区LDD，包括：通过光刻工艺定义源区和轻掺杂漏区LDD，并通过离子注入形成所述源区和所述轻掺杂漏区LDD；所述在衬底表面上形成围绕所述第一多晶硅层的侧墙和围绕第二多晶硅层的侧墙，包括：在整个器件的表面上淀积二氧化硅层，通过对二氧化硅层进行刻蚀，形成围绕所述第一多晶硅层的侧墙和围绕位于所述栅氧化层表面上的第二多晶硅层的侧墙。