[发明专利]正冲击SCR、负冲击SCR以及利用它们的双向ESD结构有效
| 申请号： | 201510337138.5 | 申请日： | 2015-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN105304698B | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 亨利·利茨曼·爱德华兹;阿克拉姆·A.·萨勒曼;MD·伊克巴勒·马哈茂德 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/06;H01L27/04;H01L23/60;H01L21/70 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请案涉及正冲击SCR、负冲击SCR以及利用它们的双向ESD结构。一种静电放电ESD结构(596)具有：n+源极区域(574‑1)，其具有邻接p+触点区域(580‑1)；间隔开的p+触点区域(580‑2)，其具有邻接n+源极区域(574‑2)；及浅沟槽隔离区域(536)，其以提供双向保护的重复模式横向位于p+触点区域(580‑1)与n+源极区域(574‑2)之间。 | ||
| 搜索关键词： | 冲击 scr 以及 利用 它们 双向 esd 结构 | ||
【主权项】：
一种可控硅整流器SCR，其包括：第一阱，其具有第一导电性类型及掺杂剂浓度；第二阱，其具有所述第一导电性类型及实质上等于所述第一阱的所述掺杂剂浓度的掺杂剂浓度，所述第一与第二阱间隔开；深区域，其具有第二导电性类型及掺杂剂浓度，所述深区域接触所述第一及第二阱且位于所述第一与第二阱之间；第一触点区域，其具有所述第一导电性类型及大于所述第一阱的所述掺杂剂浓度的掺杂剂浓度，所述第一触点区域接触所述第一阱；第一源极区域，其具有所述第二导电性类型及大于所述深区域的所述掺杂剂浓度的掺杂剂浓度，所述第一源极区域接触所述第一触点区域；第二源极区域，其具有所述第二导电性类型及实质上等于所述第一源极区域的所述掺杂剂浓度的掺杂剂浓度，所述第二源极区域接触所述第二阱；以及第二触点区域，其具有所述第一导电性类型及实质上等于所述第一触点区域的所述掺杂剂浓度的掺杂剂浓度，所述第二触点区域接触所述第二源极区域，所述第一触点区域水平地位于所述第一与第二源极区域之间，所述第二源极区域水平地位于所述第一与第二触点区域之间。
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