[发明专利]半导体器件

摘要

本发明涉及一种半导体器件。作为该半导体器件的红外光电二极管包括衬底、由GaSb形成的缓冲层和包括多量子阱结构的吸收层。该多量子阱结构包括单元结构的堆叠，每个单元结构都包括多个组分层。单元结构中的每一个包括：由InAs_1-aSb_a形成的第一组分层，其中比率a为0或更大且0.05或更小；由GaSb形成的第二组分层；和由InSb_xAs_1-x形成的第三组分层，其中比率x为大于0且小于1。第三组分层被设置成与第二组分层的一个主表面接触。第二组分层的另一个主表面与单元结构内的第一组分层接触。第三组分层具有0.1nm或更大且0.9nm或更小的厚度。

主权项

一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底由III‑V族化合物半导体形成；缓冲层，所述缓冲层设置在所述衬底上，并且由GaSb形成；以及吸收层，所述吸收层形成在所述缓冲层上，并且包括由III‑V族化合物半导体形成的多量子阱结构，其中，所述多量子阱结构包括单元结构的堆叠，所述单元结构每一个都包括多个组分层，所述单元结构中的每一个包括由InAs_1‑aSb_a形成的第一组分层，由GaSb形成的第二组分层，以及由InSb_xAs_1‑x形成的第三组分层，在所述单元结构之中的一个单元结构中，所述第三组分层被设置成与所述第二组分层的主表面中的一个接触，所述第二组分层的主表面中的另一个与存在于所述一个单元结构内或被设置在所述一个单元结构上的另一个单元结构内的所述第一组分层接触，形成所述第一组分层的InAs_1‑aSb_a中的比率a为0或更大且0.05或更小，形成所述第三组分层的InSb_xAs_1‑x中的比率x为大于0且小于1，并且所述第三组分层具有0.1nm或更大且0.9nm或更小的厚度。