[发明专利]半导体设备承载区域的硅片分布状态图像检测方法及装置

摘要

一种半导体设备承载区域的硅片分布状态图像检测方法以及装置，其在位于硅片组上方设置图像传感单元，在位于硅片承载器圆周侧边的机械手U形端部相对位置上，设置光电扫描单元或超声扫描单元；且承载器和机械手间可以作相对旋转和/或定位的运动；在第一检测阶段的图像采集模式下，执行硅片凸片的异常状态极限位置预扫描指令；通过在第二检测阶段的光电扫描/超声扫描单元的互接收模下，执行硅片凸片的异常状态循环扫描指令；以及通过在第三检测阶段的光电扫描/超声扫描单元互接收模式下，执行硅片分布状态异常扫描指令；且在承载器的周围布设多个扫描检测点，进一步地提高了检测精度。

主权项

1.一种半导体设备承载区域的硅片分布状态图像检测方法，其特征在于，在位于硅片组的上方，设置有图像传感单元，在位于硅片承载器圆周侧边的机械手上，设置有光电扫描单元或超声扫描单元；其中，所述光电扫描单元/超声波传感单元包括两个互为发射端和接收端的水平对射式光电传感器/超声波传感器，分别位于机械手U形端的相对位置；所述方法包括以下步骤：步骤S1、设定理想放置硅片的中心坐标和实际放置区域距所述中心坐标偏差阈值；启动所述图像传感单元，拍摄硅片放置状态图像，利用图像特征识别算法，判断所述硅片组中硅片放置是否有超出偏差阈值区域的情况；如果是，执行步骤S3，否则，执行步骤S2；其中，所述图像特征识别算法为选择硅片与支撑机构交接的点为特征识别点，利用不在同一直线上的三点确定一个圆周的圆心位置，利用群组方式，分别从总的特征点中选择三个点为一组的排列组合，分别算出圆心坐标位置，然后将所有组的圆心坐标位置进行平均，求得实际放置区域硅片的中心坐标；步骤S2、执行硅片凸片的异常突出状态循环扫描指令，判断并获得所述硅片组中硅片异常突出的位置；步骤S3：执行硅片分布状态异常扫描指令，根据两个所述光电传感器/超声波传感器间相互发射和接收的反馈值在扫描检测区域内光信号强度的分布状态，判断是否存在斜片、叠片和/或空片的异常状态。