[发明专利]一种纳米结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201510338283.5 | 申请日： | 2015-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN105084305B | 公开（公告）日： | 2017-07-04 |
| 发明（设计）人： | 毛海央;唐力程 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司11252 | 代理人： | 党丽,江怀勤 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纳米结构的制备方法，包括提供衬底；在所述衬底上形成聚合物层；采用等离子体轰击聚合物层，以形成柱状纳米结构；以柱状纳米结构为掩蔽，对衬底进行各向异性刻蚀，以形成锥状纳米结构；去除柱状纳米结构。该方法工艺简单且可控性强，可以批量、并行加工纳米结构，适用于大规模的商业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米结构的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成聚合物层；采用等离子体轰击聚合物层，聚合物层被轰击后的部分产物再次聚合以形成柱状纳米结构，其中，所述聚合物层的厚度为0.2‑5um，等离子体气源的流量为50‑400sccm，腔体压力为0.2Pa，射频功率为150‑350W，处理时间为30‑180min；以柱状纳米结构为掩蔽，对衬底进行各向异性刻蚀，以形成锥状纳米结构；去除柱状纳米结构。
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