[发明专利]氟化石墨烯作为高阻层的太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201510339381.0 | 申请日: | 2015-06-18 |
公开(公告)号: | CN104992987B | 公开(公告)日: | 2016-11-23 |
发明(设计)人: | 吴京锦;赵策洲;赵胤超 | 申请(专利权)人: | 西交利物浦大学 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/073;H01L31/18 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 范晴;丁浩秋 |
地址: | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种氟化石墨烯薄膜作为高阻层的太阳能电池。在太阳能电池中,电池的结构从下到上依次为作为背电极的金属薄膜层、背接触层、吸收层、窗口层、氟化石墨烯高阻层和透明导电薄膜层。0.34~20nm厚的氟化石墨烯薄膜代替本征氧化物作为新型高阻层,可以减少不同薄膜之间原子的扩散,提高界面性质,可以避免因窗口层薄膜的针孔效应引起的电池短路,进一步提高电池的效率。相比于传统高阻层,厚度较薄的氟化石墨烯薄膜更有益于电子的隧穿效应,以及电子的转移和收集。 | ||
搜索关键词: | 氟化 石墨 作为 高阻层 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种氟化石墨烯作为高阻层的太阳能电池,其特征在于,所述太阳能电池包括从下到上依次为作为背电极的金属薄膜层、背接触层、吸收层、窗口层、氟化石墨烯高阻层和透明导电薄膜层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西交利物浦大学,未经西交利物浦大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510339381.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的