[发明专利]氟化石墨烯作为高阻层的太阳能电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201510339381.0 申请日: 2015-06-18
公开(公告)号: CN104992987B 公开(公告)日: 2016-11-23
发明(设计)人: 吴京锦;赵策洲;赵胤超 申请(专利权)人: 西交利物浦大学
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/073;H01L31/18
代理公司: 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 代理人: 范晴;丁浩秋
地址: 215123 江苏省苏州市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种氟化石墨烯薄膜作为高阻层的太阳能电池。在太阳能电池中,电池的结构从下到上依次为作为背电极的金属薄膜层、背接触层、吸收层、窗口层、氟化石墨烯高阻层和透明导电薄膜层。0.34~20nm厚的氟化石墨烯薄膜代替本征氧化物作为新型高阻层,可以减少不同薄膜之间原子的扩散,提高界面性质,可以避免因窗口层薄膜的针孔效应引起的电池短路,进一步提高电池的效率。相比于传统高阻层,厚度较薄的氟化石墨烯薄膜更有益于电子的隧穿效应,以及电子的转移和收集。
搜索关键词: 氟化 石墨 作为 高阻层 太阳能电池 及其 制备 方法
【主权项】:
一种氟化石墨烯作为高阻层的太阳能电池,其特征在于,所述太阳能电池包括从下到上依次为作为背电极的金属薄膜层、背接触层、吸收层、窗口层、氟化石墨烯高阻层和透明导电薄膜层。
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