[发明专利]一种限流控制二极管的制作方法及结构有效
| 申请号： | 201510339844.3 | 申请日： | 2015-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN104952937B | 公开（公告）日： | 2018-02-06 |
| 发明（设计）人： | 刘桥 | 申请（专利权）人： | 贵州煜立电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 贵阳中新专利商标事务所52100 | 代理人： | 刘楠 |
| 地址： | 550001 贵州省*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种限流控制二极管的制作方法及结构，本发明是在P+硅衬层之上的N‑外延层采用离子注入工艺或埋层扩散工艺形成一组相互平行的条状P+杂质，然后在P+杂质之上再进行外延覆盖，将条状P+杂质掩埋在N‑外延层内，形成P+隐埋层；另外在N‑外延层四周同样采用离子注入工艺或埋层扩散工艺形成一道P+扩散墙，P+扩散墙与所有P+隐埋层两端连通；通过多个P+隐埋层在外延层内形成的多个并联的N沟道的开启和关断实现对二极管的限流控制。本发明采用自我限流控制保护的理念，设置限流控制阀值，使得二极管器件超过电流阀值时，具有电子器件的自我保护能力，由于PN结耗尽层变化速度极快能够快速限定电流，避免损坏二极管。使电子设备的安全得到可靠保障。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 限流 控制 二极管 制作方法 结构 | ||
【主权项】：
一种限流控制二极管的制作方法，其特征在于：该方法是在P+硅衬层之上的N‑外延层采用离子注入工艺或埋层扩散工艺形成一组相互平行的条状P+杂质，然后在P+杂质之上再进行外延覆盖，将条状P+杂质掩埋在N‑外延层内，形成P+隐埋层；另外在N‑外延层四周同样采用离子注入工艺或埋层扩散工艺形成一道P+扩散墙，P+扩散墙与所有P+隐埋层两端连通；通过多个P+隐埋层在外延层内形成的多个并联的N沟道的开启和关断实现对二极管的限流控制；P+硅衬层与N‑外延层之间通过扩散形成n+扩散层作为高反向电压二极管的PN结，使二极管与限流控制合为一体，构成限流控制二极管；P+硅衬层底面的金属层作为限流控制二极管的阳极；P+扩散墙顶面经厚二氧化硅层与N‑外延层顶面的n+扩散层连接，覆盖在P+扩散墙、厚二氧化硅层和n+扩散层上的金属层作为限流控制二极管的阴极。
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