[发明专利]一种石榴高产的栽培方法在审

专利信息
申请号: 201510340134.2 申请日: 2015-06-18
公开(公告)号: CN104969814A 公开(公告)日: 2015-10-14
发明(设计)人: 梁林生 申请(专利权)人: 广西大学
主分类号: A01G17/00 分类号: A01G17/00;A01C21/00
代理公司: 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 代理人: 刘晓刚
地址: 530004 广西*** 国省代码: 广西;45
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摘要: 发明涉及植物种植技术领域,尤其涉及是一种石榴高产的栽培方法,包括以下步骤:(1)育苗基质的准备,(2)短枝扦插育苗,(3)移栽,(4)移栽后的管理,(5)进入结果期和摘果后的管理,所述培养基质按以下重量份称取:家禽粪30-50份、草炭20-40份,酒糟10-30份,蛭石12-24份,珍珠岩8-16份,微量元素2-5份;用多菌灵对育苗基质进行消毒后进行育苗,多菌灵用量为90-120g/m3,采用本发明的石榴高产栽培方法成活率高,植株长势快且整齐一致,而且结果的周期短,产量高,经济收益可观。
搜索关键词: 一种 石榴 高产 栽培 方法
【主权项】:
一种石榴高产的栽培方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)育苗基质的准备:按以下重量份称取育苗基质:家禽粪30‑50份、草炭20‑40份、酒糟10‑30份、蛭石12‑24份、珍珠岩8‑16份和微量元素2‑5份;用多菌灵对育苗基质进行消毒后进行育苗,多菌灵用量为90‑120g/m3;(2)短枝扦插育苗:石榴树萌芽前,从树势健壮的母株上剪取无病虫的四、五年生枝条作为种条,将种条截成有1至3节的短插枝,插枝下端剪成斜扁的光滑面,剪截后将其浸入5%菌毒清200‑300倍液中浸泡15‑30秒进行杀菌处理,再用0.025%吲哚乙酸溶液中浸10分钟后扦插,在育苗地上开深和宽为20cm×20cm的坑,将插条斜插入坑底的深度不低于5cm,然后放入育苗基质和泥土覆盖并压紧,其基质的厚度不低于6cm,插完立即浇水,浇水后可用地膜、稻草或麦糠覆盖保墒;(3)移栽:育苗的第二年春节萌芽前可进行移栽,在移栽地上开定植坑,其行距为2~3m,所述株距为2~3m,坑宽50㎝,深60㎝,移栽后在坑周围进行施肥;(4)移栽后的管理:移栽萌芽后,每隔1个月对叶片喷洒1次复合肥溶液,共喷3次,复合肥溶液的质量浓度为0.2‑0.3%;每隔20天对叶片喷洒一次赤霉素和萘乙酸,连续喷3次,赤霉素的喷施浓度为20‑40mg/L和萘乙酸的喷施浓度为80‑100mg/L,每次喷施药物时,以每片叶片都喷湿为准;(5)进入结果期和摘果后的管理:进入结果期,对徒长枝要进行夏季摘心和秋后短截,避免顶部发生二次枝和三次枝,以便形成翌年结果母枝,摘果后要对,截去细小、有病虫的枝,使其贮存养分,同时还要及时剪掉根际发生的萌蘖。
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