[发明专利]一种可动态配置端口带宽的DDR控制方法及装置在审
| 申请号： | 201510340637.X | 申请日： | 2015-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN106325759A | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | 张思栋 | 申请（专利权）人： | 中兴通讯股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 北京元本知识产权代理事务所11308 | 代理人： | 秦力军 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可动态配置端口带宽的DDR控制方法及装置，涉及数据通讯及存储控制技术领域，其方法包括：根据来自外部的读写操作指令，生成各端口读写操作命令；根据读写端口的组数及各读写端口的带宽需求，生成用于响应所述各端口读写操作命令的DDR SSRAM读写命令，以便分配给各读写端口访问带宽；响应所述各端口读写操作命令，按照所述DDR SSRAM读写命令，执行各读写端口的DDR SSRAM读写操作。本发明通过可动态配置带宽的DDR调度控制器，根据DDR SSRAM的操作时序要求和特定的使用场合，全定制配置DDR的操作命令码，确保了在当前使用场合DDR带宽使用率达到较优的配置。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 动态 配置 端口 带宽 ddr 控制 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种可动态配置端口带宽的DDR控制方法，其特征在于，包括以下步骤：根据来自外部的读写操作指令，生成各端口读写操作命令；根据读写端口的组数及各读写端口的带宽需求，生成用于响应所述各端口读写操作命令的DDR SSRAM读写命令，以便分配给各读写端口访问带宽；响应所述各端口读写操作命令，按照所述DDR SSRAM读写命令，执行各读写端口的DDR SSRAM读写操作；其中，所述DDR SSRAM是双倍速率同步动态随机存储器。
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