[发明专利]影像传感器结构及其制造方法有效
申请号: | 201510341107.7 | 申请日: | 2015-06-18 |
公开(公告)号: | CN105990381B | 公开(公告)日: | 2019-06-21 |
发明(设计)人: | 黄志国;林哲圣 | 申请(专利权)人: | 采钰科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/60 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 李昕巍;赵根喜 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开提供一种影像传感器结构及其制造方法。该影像传感器结构包括:一基板,具有一第一表面与一第二表面,并包括一感测区;一第一金属层,形成于该基板的该第一表面上,并包围该感测区;以及一保护层,形成于该基板的该第一表面上,并覆盖该感测区与一部分的该第一金属层,以露出该第一金属层的一暴露区。该暴露区包括一第一部分,具有一第一宽度,一第二部分,具有一第二宽度,一第三部分,具有一第三宽度,以及一第四部分,具有一第四宽度。 | ||
搜索关键词: | 影像 传感器 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种影像传感器结构,其特征在于,包括:一基板,具有一第一表面与一第二表面,并包括一感测区,该感测区包含光电转换单元于其中;一第一金属层,形成于该基板的该第一表面上,并包围该感测区;以及一保护层,形成于该基板的该第一表面上,并覆盖该感测区与一部分的该第一金属层,以露出该第一金属层的一暴露区,其中该暴露区包括一第一部分,具有一第一宽度,一第二部分,具有一第二宽度,一第三部分,具有一第三宽度,以及一第四部分,具有一第四宽度,其中该第一金属层的该暴露区的该第一部分的该第一宽度、该第二部分的该第二宽度、该第三部分的该第三宽度以及该第四部分的该第四宽度分别大于35μm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的