[发明专利]半导体装置

摘要

一种半导体装置包含基板、有源层、源极、漏极、栅极、第一金属层与第二金属层。有源层置于基板上。源极与漏极分别电性连接有源层。栅极置于有源层上并置于源极与漏极之间。栅极具有第一延伸部，往漏极延伸。第一金属层部分置于栅极的第一延伸部与有源层之间，并往漏极延伸，使得另一部分的第一金属层突出于第一延伸部。第一金属层与源极电性连接。第二金属层置于栅极的第一延伸部上方，并往漏极延伸，使得另一部分的第二金属层突出于第一延伸部。第二金属层与源极电性连接。本发明的半导体装置通过增加栅极与源极之间的电容值，以降低半导体装置的米勒因子。

主权项

1.一种半导体装置，包含：一基板；一有源层，置于该基板上；一源极与一漏极，分别电性连接该有源层；一栅极，置于该有源层上并置于该源极与该漏极之间，其中该栅极具有一第一延伸部，往该漏极延伸；一第一金属层，部分置于该栅极的该第一延伸部与该有源层之间，并往该漏极延伸，使得另一部分的该第一金属层突出于该第一延伸部，其中该第一金属层与该源极电性连接；以及一第二金属层，置于该栅极的该第一延伸部上方，并往该漏极延伸，使得另一部分的该第二金属层突出于该第一延伸部，其中该第二金属层与该源极电性连接。